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File:HEMT-band structure scheme-en.svg

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描述
English: Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode
Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode
日期 (UTC)
來源
作者
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2016年1月19日 (二) 17:11於 2016年1月19日 (二) 17:11 版本的縮圖480 × 370(17 KB)Heronspelling correction: two dimentional --> two-dimensional
2009年8月26日 (三) 23:44於 2009年8月26日 (三) 23:44 版本的縮圖480 × 370(42 KB)Sfucorrect
2009年8月26日 (三) 23:37於 2009年8月26日 (三) 23:37 版本的縮圖480 × 370(42 KB)Sfu{{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"

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