氮化铝镓
氮化铝镓（AlGaN）是由氮化铝和氮化镓混合所组成的半导体。
AlxGa1−xN的能隙可以从 4.3eV（xAl=0）到6.2eV（xAl=1）[1]。
AlGaN是发光二极管的材料，可以在蓝光到紫外线的范围内运作，其波长最低可到远紫外线的250 nm，有些记载的资料甚至可以低到222 nm[2]，也用在蓝光激光二极管内。
AlGaN也可以用于紫外线辐射的侦测器，以及用在AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管内。
AlGaN层常会长晶在氮化镓上，基质是蓝宝石或(111)的矽，几乎都会有额外的氮化镓层。
安全性和毒性
[编辑]有关氮化铝镓的毒性目前尚未完全研究。其粉末会刺激皮肤、眼睛和肺部。有关氮化铝镓制备原料（像三甲基镓和氨）的环境、健康及安全议题以及标准有机金属化学气相沉积法来源的工业卫生监控，目前已有文献对其综述[3]。
参考资料
[编辑]- ^ Growth and Characterization of Aluminum Gallium Nitride...
- ^ Noguchi Norimichi; Hideki Hirayama; Tohru Yatabe; Norihiko Kamata. 222 nm single-peaked deep-UV LED with thin AlGaN quantum well layers. Physica Status Solidi C. 2009, 6 (S2): S459–S461. Bibcode:2009PSSCR...6S.459N. doi:10.1002/pssc.200880923.
- ^ D V Shenai-Khatkhate; R Goyette; R L DiCarlo; G Dripps. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 1–4 (1–4): 816–821. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.