Intel Turbo Memory
Intel Turbo Memory(代号 Robson flash memory、亦称为Robson快取)是一个由中央处理器生产商英特尔于2005年10月17日在台湾的英特尔开发者论坛(IDF)上进行介绍的技术,其中展示了一台几乎可立即启动的笔记型电脑[1]。Robson快闪记忆体使用了NAND快闪记忆体来减少电脑开机、存取程式与将资料写入硬盘的时间,用于笔记型电脑亦可改善电池寿命[2]。与其他固态记忆体不同,快闪记忆体在电脑关闭后仍会保留资料。
笔记型电脑的大部份能量消耗来自处理器、液晶显示器与硬盘[3]。英特尔的Robson快取技术意图以移动经常存取的资料(如操作系统与最常用的程式)到快闪记忆体来减低硬盘的使用率,由于快闪记忆体比硬盘有更好反应及更低的电力需求,这个技术将令笔记型电脑在未来会更快速及有更高的能源效率[4]。
Robson利用在微软的Windows Vista中的新功能ReadyBoost(一个基于外部记忆体装置的解决方案)与ReadyDrive(一个硬碟快取解决方案)来读取与写入快取资料。Robson的主要对手为用于ReadyDrive的混合型硬碟与用于ReadyBoost的USB随身碟。
英特尔已宣布Santa Rosa平台与Crestline晶片组将支援英特尔NAND技术[5],这个平台预定于2007年上半年发售,支援英特尔的Merom笔记型电脑处理器。
电子时报于2006年1月5日报道苹果公司可能会发行一款采用Robson快取的笔记型电脑[6],尽管这个报道被许多其他的苹果公司新闻网站引用,苹果公司尚未证实此事。苹果公司现已淘汰使用1英吋硬盘的iPod mini,取代为使用2、4 或8 GB随身碟的iPod nano。网站MacRumors.com注意到电子时报在预测有关苹果公司未来技术方面一向不是可靠的消息来源[7]。
一些人将Robson快取技术视为是现在大容量硬碟与未来大容量随身碟之间的过渡,这个变革的唯一阻碍就是寻找较低价的快闪记忆体以及快闪记忆体较短的平均寿命。事实上大部份快闪记忆体会耗损,现今的单阶储存记忆体会在100,000次读/写周期后失效,远度低于现在的硬碟且容易产生的坏轨/坏磁区。如果这类记忆体用作快取,将必须使用错误修正与平均读写演算法来延长记忆体的寿命以超出该笔记型电脑的寿命。但NAND快闪记忆体可持续约1,000,000个周期[8][9]。
为了加速Turbo Memory技术的普及,Intel推出了Turbo Memory with User Pinning。User Pinning是一个软体,可以让用户自行选择要加速的程式,并将有关档案放进快闪记忆体中。[10]
参考
[编辑]- ^ 存档副本. [2007-06-08]. (原始内容存档于2007-09-30).
- ^ Intel Discloses Technologies To Make The Internet More Personal And Mobile (新闻稿). 英特尔公司. 2006年3月7日 [2006年5月10日]. (原始内容存档于2006年4月29日).
- ^ TN-48-06 Increasing Battery Life in Laptops (PDF). 美光科技. [2006年10月27日]. (原始内容 (PDF)存档于2006年10月6日).
- ^ 存档副本. [2007-06-08]. (原始内容存档于2009-03-03).
- ^ Shilov, Anton. Intel's Next-Gen Mobile Platform Will Boost Hard Disk Performance. Intel’s Santa Rosa to Feature Robson Technology. X-bit labs. 2006年4月17日 [2007年6月8日]. (原始内容存档于2007年9月27日).
- ^ 存档副本. [2007-06-08]. (原始内容存档于2019-02-16).
- ^ 存档副本. [2007-06-08]. (原始内容存档于2008-10-07).
- ^ 存档副本. [2007-06-08]. (原始内容存档于2018-11-12).
- ^ 存档副本. [2007-02-02]. (原始内容存档于2007-02-02).
- ^ Intel升级Turbo Memory 使用者自訂加速程式. [2008-08-15]. (原始内容存档于2016-03-04).